En el CES 2017 fueron revelados todos los detalles del Snapdragon 835, el nuevo procesador de gama alta diseñado por Qualcomm para la generación de móviles que llegará durante este año. En este nuevo modelo encontramos algunas características peculiares debido a que incorpora cuatro núcleos Kryo 280 y cuatro Cortex-A53, lo cual mejora el rendimiento en comparación con el Snapdragon 821, pero todo lo dirán realmente los benchmarks.
Hoy se ha filtrado la primera prueba de benchmark del Snapdragon 835 desde Geekbench, confirmando lo que todos esperábamos, un rendimiento superior a la generación anterior por aproximadamente un 13%. Dicha cifra no es tan alta como esperamos, pero el fuerte del nuevo Snapdragon será el consumo de energía y la autonomía ofrecida en los móviles.
Según los datos de Geekbench, el Snapdragon 835 alcanza 2004 puntos en la prueba Single Core, mientras en Multi Core registra 6233 puntos, cifras bastante buenas si tomamos en cuenta que la generación anterior registraba 1800 puntos en Single Core con el Snapdragon 821. Así que solamente nos falta poder conocer al primer móvil que lo incorpore, siendo en este caso el Galaxy S8.
Con información de Geekbench
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