Hace tan solo un par de semanas Samsung presentó su chipset Exynos 7 Octa, primero en el mundo en ser fabricado con un proceso FinFET de 14 nanómetros, el cual entraba en producción en masa justo a tiempo para potenciar sus nuevos terminales dada que varios reportes indican que la gran surcoreana habría abandonado a Qualcomm. No importando este reciente anuncio, hoy Samsung ha anunciado que se encuentra listo para dar sus primeros pasos en el desarrollo de nuevos chipsets fabricados con un proceso FinFET de 10 nanómetros, los cuales serían exponencialmente más eficientes que los recién anunciados de 14 nm.
Ha sido durante la celebración del ISSCC (International Solid State Circuits Conference), una de las más grandes conferencias en donde se reúnen empresas pioneras en el desarrollo de circuitos integrados, de San Francisco que Samsung ha hecho el sorprendente anuncio de que ha dado sus primeros pasos en el desarrollo de SoCs de 10 nanómetros.
Con el desarrollo de esta tecnología, la cual a pesar de que ya se han dado los primeros pasos se esperan los primeros resultados comerciales hasta el 2016 o incluso el 2017, se espera además de un gran impacto en la rama de los dispositivos móviles, pues entre otras cosas se espera una gran mejora en el desempeño por un realmente bajo consumo energético, un impacto enorme en el Internet de las Cosas, mercado en donde el tamaño y el costo de fabricación de componentes son factores clave.
Para finalizar, el desarrollo de la tecnología de 10 nm no será exclusiva de los chipsets, pues se espera su expansión al terreno de las memorias DRAM, así como los chips NANDS, las memorias internas de los dispositivos móviles, para permitir una mayor capacidad de memoria en el mismo espacio físico.
vía Phone Arena
