Samsung ha presentado de manera oficial una nueva memoria DRAM DDR5 de 16 gigabits, que está fabricada en un proceso de 16 nanómetros. Esta pieza de silicio promete ofrecer múltiples beneficios en cuanto a consumo energético y rendimiento.
La compañía afirma que para producir esta memoria utilizó un nuevo material de alto k, que aumenta la capacitancia de las celdas, así como una tecnología patentada que mejora las características críticas del circuito. Del mismo modo hizo uso de una litografía EUV multicapa para aumentar la densidad en un 20 por ciento.
Esta memoria DRAM DDR5 de 12 nm es capaz de alcanzar los 7.2 Gbps, esto significa que puede procesar dos películas o videos 4K de 30 GB en tan solo un segundo. Además, necesitan un 23% menos energía que la generación anterior, por lo que se ha mejorado la autonomía al máximo.
Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de DRAM Product & Technology de Samsung Electronics, afirma que esta DRAM será un factor importante para impulsar la adopción en todo el mercado. Se espera que la pieza sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de última generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por IA.
La producción en masa comenzará en algún punto de 2023, y por el momento no se han revelado más detalles sobre sus especificaciones, pero seguramente más adelante Samsung compartirá información pertinente.
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