Luz y magnetismo: la clave para la MRAM del futuro
Durante años, la memoria RAM magnetorresistiva (MRAM) ha sido la opción preferida para aplicaciones que demandan alta velocidad y eficiencia energética, como en la industria, el sector militar y espacial.
Sin embargo, un nuevo descubrimiento realizado por científicos de la Universidad Hebrea de Jerusalén podría revolucionar el panorama de la memoria RAM, abriendo las puertas a una tecnología ultrarrápida, de bajo consumo y con capacidades cuánticas.
Cambios importantes entre la interacción de la luz
La clave reside en el control del estado magnético en sólidos mediante un mecanismo láser. Este avance, descrito por los científicos como un “cambio de paradigma”, representa un hito en la comprensión de la interacción entre la luz y los materiales magnéticos.
“Las implicaciones de este descubrimiento son enormes, especialmente en el campo de la grabación de datos mediante luz y nanoimanes“, afirma el Dr. Amir Capua, director del laboratorio de espintrónica de la universidad y coautor del estudio.
Es un paso hacia una MRAM controlada ópticamente, ultraeficiente y ultrarrápida, lo que supondría un cambio radical en el almacenamiento y procesamiento de información en diversos sectores.
Principales diferencias entre MRAM y RAM
La memoria RAM convencional funciona mediante pequeños electroimanes que se magnetizan con corriente eléctrica, codificando así la información como “1” o “0” (encendido o apagado) en lenguaje binario.
El nuevo descubrimiento se centra en las propiedades magnéticas de la luz, a menudo ignoradas hasta ahora. El equipo de investigación descubrió que las ondas luminosas de rápida oscilación pueden controlar imanes, lo que abre un sinfín de posibilidades en el campo de la memoria y el almacenamiento de datos.
A partir de una nueva ecuación matemática, Capua y su equipo lograron describir la fuerza de esta interacción, considerando factores como la “amplitud del campo magnético de la luz, su frecuencia y la absorción de energía del material magnético”.
Aplicación en la espintrónica
Si bien la interacción entre magnetismo y luz es un concepto conocido en el ámbito cuántico, rara vez se ha aplicado en el campo de la espintrónica, que explora la relación entre el espín de un electrón y el magnetismo. Este principio es la base de la MRAM actual, que utiliza el espín de un electrón para almacenar información.
“Nuestra ecuación fundamental describe esta interacción de manera sencilla”, explica Capua. “Nos permite replantear completamente la grabación magnética óptica y avanzar hacia un dispositivo de almacenamiento magnético óptico denso, eficiente energéticamente y rentable que aún no existe”.
La mirada hacia el futuro también contempla la memoria RAM cuántica, una tecnología que podría utilizar un haz de luz para fijar un bit magnético en una superposición de 1 y 0, similar al funcionamiento de los qubits en los ordenadores cuánticos.
Este futuro aún está lejano
Actualmente, la MRAM se encuentra en las primeras etapas de su adopción en el mundo de la informática, pero este nuevo descubrimiento le da un impulso significativo como la memoria del futuro.
Este avance no solo abre las puertas a una nueva generación de dispositivos de almacenamiento más rápidos y eficientes, sino que también sienta las bases para la computación cuántica a gran escala, revolucionando la forma en que procesamos y almacenamos información.
