Samsung anuncia GDDR7 de 36 Gbps con ancho de banda de hasta 1.7 TB/s
Samsung por fin ha presentado sus soluciones de memoria con el objetivo de mejorar el rendimiento de los servidores, centros de datos, dispositivos móviles, automóviles y, por supuesto, de los juegos de video.
Durante el evento Samsung Tech Day la empresa coreana presentó el estándar GDDR de próxima generación, así como detalles de la futura tecnología de almacenamiento V-NAND.
El mercado de las DRAM está avanzado a pasos agigantados, por lo que Samsung está contribuyendo al desarrollo de la misma, con producción de 1b que permite escalar más allá de los 10 nm mediante la tecnología High-K.
Las nuevas DDR5 de 32 GB por chip de memoria representará un aumento doble con respecto a los 16 GB existentes, así como un 33 por ciento con respecto a los chips de 24 Gb. Se espera que las soluciones DRAM LPDDR5X de 8.5 Gbps para smartphones y laptops experimenten una mayor adopción a lo largo de 2023.
Samsung afirma que se seguirán desarrollando soluciones DRAM personalizadas como HBM-PIM, AXDIMM y CXL para un procesamiento acelerado para aplicaciones de redes neuronales e inteligencia artificial.
La empresa anunció las especificaciones GDDR7 con tasas de transferencia de hasta 36 Gbps, un nuevo estándar que debería mejorar las velocidades en un 50 por ciento en comparación con los chips GDDR6X de 24 Gbps actuales desarrollados por Micron.
De esta manera, el estándar GDDR7 de Samsung puede proporcionar un ancho de banda de 1.7 TB/s con un bus de 384 bits. Las soluciones del fabricante de Corea del Sur beneficiarán a la industria, así como a los consumidores con el producto final, con smartphones más rápidos.
